11月20日晚，拓荆科技发布公告，公司收到了股东国家集成电路产业投资基金有限公司（大基金一期）的减持计划告知函。大基金一期计划在2025年12月12日至2026年3月11日，通过大宗交易方式减持拓荆科技不超过843.5万股，即不超过总股本的3%。

截至三季度末，大基金一期是拓荆科技的第一大股东，持股比例高达19.57%，持股数量达5502.67万股，且这些股份全部是在IPO前取得的。此次大基金一期的减持计划，无疑给市场对拓荆科技的投资情绪带来了不小的冲击。

或受此消息影响，截止11月21日收盘，拓荆科技股价下跌5.80%，报收290.00元/股，最新市值为815.4亿元。若按照这一股价计算，大基金一期此次减持的金额最高将超过20亿元。

公开资料显示，拓荆科技成立于2010年，专注于高端半导体专用设备的研发、生产、销售以及技术服务。目前，公司主要生产PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品。

值得关注的是，拓荆科技的主要产品薄膜沉积设备，在芯片制造环节中占据着极为重要的地位。它和光刻设备、刻蚀设备一同并称为芯片制造的三大核心设备。具体而言，薄膜沉积设备所沉积的薄膜，是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中有着巨大的需求量。

进一步来看，从市场前景方面分析，拓荆科技2025年中报中表示，2025年晶圆制造设备销售额预计将达到1108亿美元，占总体半导体设备销售额的比例近90%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为244亿美元。

在财务数据层面，拓荆科技今年展现出了极为强劲的业绩表现。前三季度，公司实现营业收入42.20亿元，同比增长85.27%；实现归母净利润5.57亿元，同比增长105.14%。

聚焦第三季度，拓荆科技的业绩增长更加亮眼，实现营收22.66亿元，同比增124.15%；取得归母净利润4.62亿元，同比增225.07%，远超市场预期。

值得一提的是，大基金一期此番减持并非个例。11月19日，即拓荆科技公告前一天，燕东微公告称，持股5%以上的大基金一期因自身经营需要，计划减持不超过公司总股本1.5%的股份。